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基板の作成

最終更新日2008-09-21


基板ができました。あと3種類作ります。


  電源基板,バイアス電源基板,Logic電源基板,メイン基板が出来ました。 小さいやつ二つ,バイアス電源基板とLogic電源基板はハトメに直接部品を固定していきます。 大きいやつ二つ,メイン基板,電源基板はベーク板にハトメを打って,1.6mmの銅単線を通し,その銅線に部品を固定していきます。 部品交換を容易にするためです。 今回は試作的な要素も強いので(いつもですが)部品交換とメンテナンスを容易に出来るように考えています。

  せっかく基板を作っても,部品交換が難しくて,いつもヒーヒー言いながら部品を交換してます。 そんなじゃやってられんので,できるだけ部品交換容易な構造にさせていただきました。 基板自体もモジュールとして取り外し容易なように考えています。そうはなかなかいかないんだけどね。 なんといっても時間は沢山あるので,ゆっくり作っています。


  信号切り替え用の基板2枚とFET基板が出来上がりました。 スルーホールのガラエポ基板にリレーと小物部品を実装してみました。 FETブースターはガラエポのユニバーサル基板に実装してみました。 動作確認を行いましたが,みな順調そうです。 リレーは1.5Vの電池(誤記訂正:2本直列 = 3V程度)でも動作しました。かなり感度が高く軽い動作音です。 「カチャ」とか「パチ」とかではなくて「チ」言う感じの音です。自己満足。そしてエコです。なぜならリレー1個あたりの消費電力が50mWだからです。


  各基板の動作確認を行いました。 まずは30Vの定電圧電源を使用して動作確認です。 バイアス電源基板は70Vが定格なのでうまく動作はしませんでしたが,大きな間違いはありませんでした。 電解コンデンサーの漏れ電流は相当小さく,充電後,電源から外して3時間ほど放置しても30Vが25V位にしかなっていませんでした。 なかなか素晴らしいです。 ロジック電源基板も無事に5Vが出力されています。 ヒーターバイアスの14Vもちゃんと出ています。あ,これ秘密じゃん。。 FETブースターは無負荷ならば500kHzくらいの帯域が取れました。出力電圧は20Vp-pくらいまで取れます。 ちょっとしたOPAMP並みです。出力を飽和させても変な挙動もなく,負荷が100p程度でも安定して動作します。 ゲインはぴったり20倍になりました。これも自己満足。 負荷を重くすると立下りが劇的に悪くなりますが,これは出力をA級シングルのエミフォロにしているためです。 吸い込み側の能力はアイドリング電流に直接影響されますが,0.5mAほどしか流していないので重負荷は苦手です。 そもそも負荷は100kΩ,50pFほどを想定しています。

  さてさて,そろそろシャーシに組み込んでいく段階となりました。


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