最終更新日2008-09-21
基板ができました。あと3種類作ります。
電源基板，バイアス電源基板，Logic電源基板，メイン基板が出来ました。 小さいやつ二つ，バイアス電源基板とLogic電源基板はハトメに直接部品を固定していきます。 大きいやつ二つ，メイン基板，電源基板はベーク板にハトメを打って，1.6mmの銅単線を通し，その銅線に部品を固定していきます。 部品交換を容易にするためです。 今回は試作的な要素も強いので（いつもですが）部品交換とメンテナンスを容易に出来るように考えています。
せっかく基板を作っても，部品交換が難しくて，いつもヒーヒー言いながら部品を交換してます。 そんなじゃやってられんので，できるだけ部品交換容易な構造にさせていただきました。 基板自体もモジュールとして取り外し容易なように考えています。そうはなかなかいかないんだけどね。 なんといっても時間は沢山あるので，ゆっくり作っています。
信号切り替え用の基板2枚とFET基板が出来上がりました。 スルーホールのガラエポ基板にリレーと小物部品を実装してみました。 FETブースターはガラエポのユニバーサル基板に実装してみました。 動作確認を行いましたが，みな順調そうです。 リレーは1.5Vの電池（誤記訂正：2本直列 = 3V程度）でも動作しました。かなり感度が高く軽い動作音です。 「カチャ」とか「パチ」とかではなくて「チ」言う感じの音です。自己満足。そしてエコです。なぜならリレー1個あたりの消費電力が50mWだからです。
各基板の動作確認を行いました。 まずは30Vの定電圧電源を使用して動作確認です。 バイアス電源基板は70Vが定格なのでうまく動作はしませんでしたが，大きな間違いはありませんでした。 電解コンデンサーの漏れ電流は相当小さく，充電後，電源から外して3時間ほど放置しても30Vが25V位にしかなっていませんでした。 なかなか素晴らしいです。 ロジック電源基板も無事に5Vが出力されています。 ヒーターバイアスの14Vもちゃんと出ています。あ，これ秘密じゃん。。 FETブースターは無負荷ならば500kHzくらいの帯域が取れました。出力電圧は20Vp-pくらいまで取れます。 ちょっとしたOPAMP並みです。出力を飽和させても変な挙動もなく，負荷が100p程度でも安定して動作します。 ゲインはぴったり20倍になりました。これも自己満足。 負荷を重くすると立下りが劇的に悪くなりますが，これは出力をA級シングルのエミフォロにしているためです。 吸い込み側の能力はアイドリング電流に直接影響されますが，0.5mAほどしか流していないので重負荷は苦手です。 そもそも負荷は100kΩ，50pFほどを想定しています。
さてさて，そろそろシャーシに組み込んでいく段階となりました。